PowerESD

AVL系列ESD壓敏電阻是一種在正常情況下充當電路非導體的組件。加載過壓後，它成為一種導體，可以在臨界電壓水平下將過電流從電路轉移到接地。

ESD是指人体与电子设备等接触所产生的静电放电。在此就需要采取ESD对策的场所、ESD保护元件的种类和优点进行说明。

隨著製程演進，積體電路中電晶體尺寸逐漸縮小，靜電放電(ESD) 容易造成晶片內部不可逆之破壞，因此積體電路產品中靜電放電防護的可靠度議題必須被深入探討。

由 李冠儀 著作 · 2017 — 射頻功率放大器之靜電放電防護設計. On-Chip ESD Protection Design for Radio-Frequency Power Amplifier. 李冠儀(Li Guan-Yi). 指導教授： 林群祐. 國立臺灣師範大學 ...

2021年3月30日 — 部分離散式功率MOSFET與電源塊MOSFET (power-block MOSFET)整合ESD保護結構，能避免ESD造成MOSFET意外故障。本文主要說明用於功率MOSFET之不同ESD防護 ...

自然界的電壓及電流脈衝大致分為靜電放電(ESD)及雷撃突波(Surge)二類靜電放電簡稱為ESD（Electrostatic Discharge），指靜電的正電荷或是負電荷逐漸累積時，會與周圍環境 ...

電源IC的失效常常是其輸入端受到電氣過應力（EOS）的結果。本文對電源IC輸入端ESD保護單元的結構進行了解釋，說明了它們在受到EOS攻擊時是如何受損的。造成 ...

2021年6月25日 — 若power supply的AC輸入端為三孔，也就是有earth ground，在ESD測試時因電荷會被bypass，因此對電路幾乎沒影響。但若AC輸入端為兩孔，在設計上則須 ...

ESD為專門設計的防靜電元件，由多個二極體或TVS組合而成的TVS陣列，其導通時間較TVS慢一些。靜電放電一般為納秒級的脈衝，破壞力相對較小，所以ESD元件的晶片晶粒面積也較 ...